Система предназначена для контроля температуры подложки и толщины слоев при росте/травлении.

Работа системы базируется на новых методах тандемной низкокогерентной интерферометрии. Система позволяет осуществлять in situ мониторинг параметров технологических процессов (температура подложки и толщина растущего слоя) с высоким разрешением и уникальными возможностями.

Система является единственной в мире, позволяющей контролировать толщину слоя на начальных стадиях роста без потери разрешения.

Параметры системы:

• Абсолютная точность измерения температуры 1 К;
• Разрешение изменения толщина подожки/слоя 1 нм.

Статьи по теме.